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        原子層沉積

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        300萬-1000萬

        產品規格:沉積超薄、無針孔和顆粒的膜層

        公司所在地:重慶

        產品庫存:現貨及定制

        可供貨地區:全國

        其他說明:

        原子層沉積(ALD)原理是通過在工藝循環周期內分步向真空腔內添加前驅體、實現對膜層厚度的精確控制,此區別于普通 CVD 或PECVD原理。

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        原子層沉積(ALD)原理是通過在工藝循環周期內分步向真空腔內添加前驅體、實現對膜層厚度的精確控制,此區別于普通 CVD 或PECVD原理。收起

        品牌:
        SENTECH
        功能:
        沉積超薄、無針孔及顆粒的膜層
        用途范圍:
        納米科技、微系統應用、器件鈍化等
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