★一、X光電子能譜儀（XPS）的配置組成：（此項以供應商響應為準，無需提供證明材料）：
| 序號 | 設備名稱 | 數量 |
| （一） | X射線光電子能譜儀主機 | 1臺 |
| （二） | 液相樣品檢測單元 | 1臺 |
| （三） | 電化學分析單元 | 1臺 |
| （四） | 能譜儀及電子背散射衍射儀 | 1套 |
| （五） | 其它配套要求 | / |
（一）X射線光電子能譜儀主機
1.單色化X光源
1.1.1Al Kα單色化X射線源：至少可換8個新鮮點，軟件控制自動換點并調整校準；
1.1.2高能單色化X射線源：X射線光子能量不低于2,800eV，至少可換4個新鮮點，軟件控制自動換點并調整校準；
★1.1.3功率：最大功率不低于375W。加速電壓15kV，在任意分析束斑下均可實現發射電流0～25mA可調，以獲得不同的功率。最大功率和最大束斑下，單位面積上的X射線激發功率不大于0.4mW/μm2，防止對陽極靶和有機高分子材料樣品造成損傷（注明投標儀器的最大功率和最大束斑的形狀與大小，并計算給出單位面積上的X射線激發功率）。
1.1.4單色器：水冷大背板石英晶體單色器，確保分光晶體的晶格常數不隨環境溫度發生變化；羅蘭圓直徑不小于500mm；
1.1.5分析束斑：不低于5檔，包括大束斑（不小于Φ200μm）、較大束斑（Φ100~120μm）、中等束斑（Φ50~60μm）、較小束斑（約Φ30μm）、小束斑（Φ10~20μm），適應不同分析需求，在任意分析束斑下均可實現最大功率采譜以獲得最佳的分析靈敏度；
1.2.Al單色X射線源XPS指標（Ag 3d5/2峰半高全寬@強度，非掃描束斑）
▲1.2.1大束斑能量分辨和靈敏度：0.45eV@160kcps、0.5eV@600kcps、0.6eV@2.0Mcps，注明束斑大?。?/p>
1.2.2較大束斑（Φ100～120μm）最佳能量分辨和靈敏度：0.5eV@100kcps、0.6eV@400kcps，注明束斑大??；中等束斑（Φ50～60μm）最佳能量分辨和靈敏度：0.5eV@25kcps、0.6eV@125kcps，注明束斑大??；最小束斑（Φ10～20μm）最佳能量分辨和靈敏度：0.5eV@1.5kcps、0.6eV@6kcps，注明束斑大??；
1.3.單色化高能XPS指標（Ag 3d5/2峰半高全寬@強度）
1.3.1大束斑能量分辨不低于0.9eV，大束斑靈敏度不低于6kcps；
1.4.化學狀態平行成像XPS
1.4.1成像模式：固定分析器傳輸（FAT）或恒定分析器能量（CAE）模式的化學狀態成像，不使用固定阻滯率（FRR）或恒定阻滯率（CRR）模式，防止化學狀態信息丟失；
1.4.2平行成像XPS空間分辨：銳利刀口樣品，線掃描強度80%～20%的寬度≤1μm；
1.4.3平行成像XPS視場大?。喊ú⒉幌抻?00×800μm2、400×400μm2、200×200μm2、80×80μm2，可實現10×10的大面積自動拼接成像；
1.5.靜電傳輸透鏡
1.5.1類型和操作模式：多組元減速場（采譜）和放映透鏡（成像）；
1.5.2能量掃描范圍：0～3000eV（XPS）/0～65eV（UPS）；
1.5.3最小掃描能量步長：小于4meV（XPS）/小于1.5meV（UPS），需提供軟件截屏；
1.6.荷電中和器
1.6.1類型：與靜電傳輸透鏡同軸的超低能單電子源，不可使用離軸準直的電子源和離子源，避免離軸準直的電子源和離子源對粉末樣品表面進行荷電中和時產生荷電陰影而不能實現良好的荷電中和，同時確?？煞乐闺x子源造成表面元素的化學狀態還原，亦應確保在分析室中實施絕緣體分析時不使用進樣室渦輪分子泵差分抽氣，可以在進樣室中裝入樣品以提高樣品吞吐量；
1.6.2中和電子能量：不大于5eV，需提供軟件截屏；
▲1.6.3絕緣體分析能力（PET，O-C=O的C 1s峰半高全寬@C-C/C-H的C 1s峰強度）：0.68eV@20kcps、0.77eV@70kcps；
1.7.電子能量分析器
1.7.1電子能譜能量分析器
1.7.1.1類型：180°半球扇形分析器；
▲1.7.1.2平均半徑：不小于160mm；
1.7.1.3通過能（FAT/CAE模式）：1～400eV可調，注明測試時實際使用的通過能設置值。通過能的設置值應保證能用于實際測試，滿足電子能譜的不同能量分辨率和靈敏度的需要。對于每一個用于實際測試的通過能設置值，均應精確校準譜儀傳輸函數，確保在這些通過能設置值下實現精準的XPS定量分析；
1.7.2平行成像電子能量分析器
1.7.2.1類型：180°半球球鏡分析器，獨立于電子能譜能量分析器的第二能量分析器；
1.7.2.2平均半徑：不小于160mm；
1.7.2.3通過能（FAT/CAE模式）：可滿足XPS平行成像的不同能量能量分辨和靈敏度的需要，確保能夠區分同一元素的不同化學狀態，不可使用FRR/CRR模式，防止傅立葉變換帶來的能量分辨的變化和化學狀態信息的丟失；
1.8.檢測器
▲1.8.1類型：單一的二維陣列檢測器，不少于128個物理通道，包含置于真空中的雙層不少于128個陽極、前置放大器及計數器，確?？赏瑫r記錄光電子發射位置及其強度，可滿足XPS采譜和成像XPS、微區XPS、深度剖析XPS、動態XPS工作需要；
1.8.2工作模式：XPS模式下可實現“掃描”以及“拍照”等工作模式，以滿足動態表面X射線光電子能譜分析的需求；
1.9.深度剖析離子槍
▲1.9.1離子源類型：聚焦可掃描離子源，單個Ar原子和團簇Ar雙模式；
1.9.2可使用氣體：Ar/Ar團簇（XPS深度剖析）/He（離子散射譜，ISS）
1.9.3單Ar離子能量：500eV～5keV可調；
1.9.4單Ar離子最小束斑：～400μm （5keV）；
▲1.9.5團簇Ar離子能量：最高離子能量不低于10keV，可調；
1.9.6團簇Ar離子團簇：最大團簇不小于2,000Ar，可調；
1.9.7氣體控制：軟件控制，配套高精度進氣閥門和差分真空抽氣系統。
1.10.分析室樣品控制、觀察和調整
1.10.1軸向：5軸樣品臺，即X、Y、Z移動，繞軸和繞樣品面法線轉動；
1.10.2移動：X方向不小于60mm，Y方向不小于30mm，Z方向不小于15mm；
1.10.3繞軸轉動：±90°；
1.10.4繞樣品法線轉動：±180°
▲1.10.5最大可分析面積：不小于2,000mm2，注明實際樣品條（托）尺寸；
▲1.10.6控制：軟件操控樣品臺，記憶和恢復分析位置以實現無人值守的自動分析；
1.10.7觀察：軟件控制變焦CCD攝像機在不同的放大倍率下實時觀察、精確定位分析位置和截取圖像；
1.10.8調整：通過可變焦CCD攝像機和實時成像系統確定分析位置，并可軟件自動確定最佳的分析高度；
1.11. 智能化操作系統
▲1.11.1譜儀控制：全計算機自動控制；Windows操作系統下全計算機自動控制；
▲1.11.2進樣室的多樣品停放臺：可一次裝入并存儲3個樣品條（托），每一樣品條（托）的可分析面積不小于2000mm2，其上可安置多個樣品，可軟件控制實現自動進樣；
1.11.3進樣方式：軟件控制全自動進樣，多樣品停放臺上的多個條型樣品盤之間可以實現遠程控制及無人值守的全自動交換分析，無需手動操作；
▲1.11.4進樣室標配定位相機：可在進樣室抽真空時對分析樣品定位，軟件設定相應的分析方法，進樣室真空度達到進樣要求后可自動傳輸至分析室實施無人值守的全自動分析（包括自動確定樣品最佳分析高度、全譜和高分辨譜）；
1.11.5智能互聯型操作及數據處理軟件：可以安裝在手提電腦、手機等移動終端。通過互聯網網絡，實現全球范圍內的XPS儀器網絡化互聯遠程控制、參數設置、儀器測試及測試數據結果的遠程處理和遠程提取等功能；數據處理包括定性分析、定量分析、曲線擬合等；
1.12.真空系統
1.12.1分析室真空系統
1.12.1.1腔體：μ金屬；真空泵：400升/秒渦輪分子泵/鈦升華泵及機械泵；真空度：烘烤后優于7×10-8Pa（5×10-10torr）。
1.12.2進樣室真空系統
1.12.2.1腔體：不銹鋼；真空泵：渦輪分子泵和機械泵；真空度：烘烤后≤7×10-7Pa（5×10-9torr）；
1.12.3烘烤系統
1.12.3.1構成：集成于系統，含有控制單元，軟件控制；最高烘烤溫度：不低于120 oC。
1.13.紫外光電子能譜（UPS）
1.13.1光源：He紫外光源；
1.13.2能量分辨和靈敏度：Ag費米邊20%～80%≤120meV時Ag 4d計數率≥1Mcps；
1.14.離子散射譜（ISS）
1.14.1離子源：深度剖析離子槍，使用He氣作為離子源；
1.14.2能量分辨和靈敏度：使用1keV的He+離子入射到清潔的Au表面上，Au峰的能量分辨≤12eV時其靈敏度≥12kcps/nA；
1.15.氣氛敏感樣品傳遞裝置
1.15.1制造商：與XPS主機相同品牌；
1.15.2工作方式：可抽真空，可充保護性氣體；
1.16.冷卻水系統
1.16.1功率不低于3kW，滿足陽極靶、渦輪分子泵、磁透鏡和石英單色器冷卻需要；控溫范圍：10～35°C；控溫精度：±0.1°C；循環水流量：1～20升/分；
1.17.備品備件、耗材及配套輔助設備等
▲1.17.1隨機備件：保證儀器正常運行的三年隨機備件及工具套包；
1.18.不間斷電源和隔離變壓器
1.18.1不間斷電源：保證儀器持續運行兩小時的不間斷電源；隔離變壓器：確保儀器正常工作的外電源隔離變壓器一套。
★1.19主機配置單：
1.19.1.X射線光電子能譜儀主機：1套
1.19.2.半球采譜和成像球鏡分析器：1套
1.19.3.自動選區光闌：1套
1.19.4.自動選區光圈：1套
1.19.5.自動成像分析狹縫：1套
1.19.6.進樣室抽空套件：1套
1.19.7.進樣室機械泵：1套
1.19.8.分析室抽空套件： 1套
1.19.9.分析室機械泵：1套
1.19.10.五軸自動樣品臺系統：1套
1.19.11.高倍率樣品分析室顯微鏡：1套
1.19.12.自動單色化Al/Ag雙陽極X射線源：1套
1.19.13.多模式一體式氣體團簇離子槍（單Ar離子槍和團簇Ar離子槍雙模式自動切換）：1套
1.19.14.數據處理軟件：1套
1.19.15.冷卻水增壓泵：1套
1.19.16.譜儀控制單元：1套，原廠配套，雙顯示屏；
1.19.17.數據處理單元：1套，Microsoft Windows 10 及以上正版操作系統；≥雙10核CPU；CUDA-enabled 3D GPU；≥16TB硬盤容量；≥128GB內存；RAID-5可刻錄式光驅；≥27寸顯示屏；
1.19.18.全自動進樣器：1套，包含：全自動進樣器（含三個樣品盤全自動連續進樣樣品臺及機械臂、進樣室垂直觀察定位相機）；
1.19.19.紫外光電子能譜（UPS）套件：1套
1.19.20.離子散射譜（ISS）套件：1套
1.19.21.氣氛敏感樣品傳輸器 1套
1.19.22.原廠備用消耗品，包含但不限于：
1.19.22.1單色雙陽極燈絲套件：1套
1.19.22.2荷電中和燈絲套件：1套
1.19.22.3離子槍燈絲套件：1套
1.19.22.4各種無氧銅墊圈：1套
1.19.22.5工具套包：1套
1.19.23.外圍輔助設備： 冷卻循環水：1臺
1.19.24.不間斷電源和（含隔離變壓器）：1臺
1.19.25.彩色打印復印一體機1臺，支持彩色打印、復印和掃描功能，端口支持USB、Wifi端口及以太網。
（二）液相樣品檢測單元
2.1 等離子體進樣系統
★2.1.1 ICP觀測方向：雙向觀測
★2.1.2 炬管方向：豎直向上放置
2.1.3 霧室：旋流霧室。
2.1.4 霧化器：高霧化效率同心型霧化器
2.2 氣體控制系統
2.2.1等離子體氣、輔助氣、載氣均需質量流量計控制，流量范圍：等離子氣：8~20L/min，輔助氣：0.5~2L/min，載氣：0~2L/min
2.2.2 氬氣純度≥99.97%時，可完成設備驗收，并長期穩定工作。
●2.2.3 節氣模式：等離子體氣最低流量可小于5.5L/min。
2.2.4 深紫外區測定：P、S、I等元素深紫外區譜線測定無需吹掃光室，無吹掃等待和吹掃氣體消耗。
2.3 RF高頻發生器
●2.3.1 RF功率：最大功率≥1.5KW
2.3.2 焦距：≥450mm
2.3.3 波長范圍：180nm至800nm
2.3.4光室控溫精度±0.5℃，冷開機10分鐘即可測定，P、S、B、Al等深紫外區譜線。
2.3.5其它
震蕩形式：晶體控制震蕩自激式
頻率：≥27.12MHz
輸出穩定性：±0.1%之內
光學系統：中階梯光柵分光器
分辨率：≤0.007nm（200nm處）
色散元件：中階梯光柵 79條/mm，石英棱鏡，二維交叉色散。
象散校正：配備施密特鏡，校正象散，檢測器四周聚焦同樣清晰。
波長校正: 利用氣體中C，N，Ar等3種以上元素發射譜線校正波長，無需額外光源和校準溶液。
2.4 檢測器
●2.4.1 裝置：CCD（電荷耦合器件）檢測器，儀器工作范圍全波段測定僅需一次曝光。紫外區不采用隨使用衰減的磷涂層。
2.4.2 分析速度：每條測量譜線的積分時間≥10秒設定下，每分鐘測定70個以上元素或譜線；
2.4.3 內標校正曝光方式：同時的內標校正，即內標元素和測量元素必須同時曝光；
2.4.4 檢測器像素：≥1024×1024像素
2.4.5 檢測器面積：≥1英寸
2.4.6 檢測器半導體冷卻裝置至-20℃即可，無需更低。開機20分鐘內即可從室溫降至穩定工作溫度。關機前無需吹掃，可直接關機。
2.5 工作站軟件
2.5.1 基本功能
2.5.1.1定性分析：用于建立在儀器內數據庫進行分析
2.5.1.2對每件樣品應用校正基本數據，自動選擇波長
2.5.1.3定量分析：工作曲線法/標準加入法
2.5.1.4對每個元素設置若干波長，對每個樣品自動選擇波長，軟件內置譜線數據庫大于100000條。
●2.5.2 用戶可任意添加自定義波長。
★2.6 儀器配置
2.6.1電感耦合等離子體發射光譜儀 1套
2.6.2標準附件（包括但不低于霧化器、旋流霧室、矩管） 1套
2.6.3工作站軟件（包括譜線數據庫） 1套
2.6.4氬氣調節閥 2套
2.6.5兩年備件及消耗品（包含泵油、霧化器、矩管等） 1套
2.6.6冷卻循環水 1套
2.6.7 40L高純氬氣及鋼瓶 2套
2.6.8臺式電腦（Microsoft Windows 10 及以上正版操作系統，CPU I5，2.5GHZ或以上，內存4G或以上，硬盤1T或以上，顯示器≥27寸） 1套
2.6.9彩色品牌打印復印一體機（支持彩色打印、復印和掃描功能，端口支持USB、Wifi端口及以太網） 1套
★2.7本液相樣品檢測單元設備須為國產產品
（三）電化學分析單元
★3.1 儀器采用電隔離和浮地技術，完全實現電絕緣。
3.2 儀器采用兩種補償方式：電流截斷和正反饋iR補償。
3.3 電極聯接模式：2、3、4或5電極體系。
3.4 最大輸出電流范圍≥±600mA。
3.5 最大輸出電壓范圍≥±11V；電位分辨率≤1μV。
3.6 電流精度≤±10pA，電流范圍值≤±0.3%。
★3.7 電流分辨率≤20aA。
3.8 電流范圍：600mA—600fA，電流檔位范圍：≥13檔（內部10X和100X增益）。
3.9 槽壓范圍≥±22V。
●3.10 EIS頻率范圍：10μHz-5MHz。包括恒電位、恒電流、混合控制模式?？墒褂脝我徽也y量，也可利用多重正弦波進行快速EIS的測量。
3.11 交流振幅范圍：最大3V，600mA。
★3.12 電化學測試分析軟件包，采用友好界面和功能強大的電化學數據采集和分析軟件，支持第三方軟件，支持用戶自己編輯程序進行序列測試。包括：直流腐蝕腐蝕測試過程中所有標準測試技術軟件包；模擬Tafel常數和腐蝕速率軟件包；臨界點蝕溫度ASTM標準化測試軟件包；EIS電化學交流阻抗譜軟件包；直流物理電化學研究軟件包；電化學噪聲軟件包；脈沖伏安標準和可定制的脈沖實驗電化學軟件包；電化學能源軟件包；電化學信號的獲取和分析軟件包；電化學數據分析軟件包。
3.13 小信號上升時間：＜250ns
3.14 本底噪音：＜2μV rms。
●3.15 輸入電阻：≥1014Ω。
★3.16 擴展功能（以下要求須給出詳細技術說明響應）：
3.16.1可連接臨界點蝕溫度測試裝置進行臨界點蝕測試測試；
3.16.2可連接拉曼光譜做光譜電化學測試。
3.17 預留后續升級多通道接口及配套引線，方便后續升級多通道。
★3.18儀器配置
3.18.1 高精度電化學工作站主機 一臺
3.18.2 預留后續多通道升級引線、電極引線、USB連接線 一套
3.18.3 模擬電化學池、儀器自檢標準線路板 一套
3.18.4 電源線、適配器 一套
3.18.5 自檢用屏蔽盒 一個
3.18.6 腐蝕專用高溫參比電極、工作電極、對電極 一套
3.18.7 腐蝕用電解池 一個
3.18.8 配套電化學測試分析軟件 一套
（四）能譜儀及電子背散射衍射儀
4-1能譜儀
4.1 探測器：
●4.1.1分析型SDD硅漂移電制冷探測器，有效面積≥30mm2
●4.1.2高分子超薄窗設計
●4.1.3無需液氮冷卻，僅消耗電能。
4.2 能量分辨率：Mn Ka≤129eV（@計數率100,000cps）；以上探測器能量分辨率保證符合ISO 15632:2012標準。
●4.3元素分析范圍：大于等于Be4～Cf98。
4.4具備零峰修正功能，可以快速穩定譜峰，開機后無需重新修正峰位。
4.5具備元素面分布實時功能：在樣品臺靜止狀態、移動及改變放大倍數時，均可實時顯示電子圖像、不同元素分布以及它們的疊加圖。樣品停止移動時，自動開啟面分布圖靜態采集模式，得到更高清晰度的面分布圖。可利用軟件控制樣品臺移動及改變放大倍數。
4.6定性分析：可自動標識譜峰，可進行譜重構。
4.7除具備KLM全譜線系數據庫外，還配置20kV及5kV高低電壓定量數據庫，可覆蓋不同電壓下的定量分析。同時，用戶可利用微束分析標樣建立相應元素的數據庫，進行有標樣定量分析。
4.8電子圖像分辨率≥8192*8192像素；元素面分布圖分辨率≥4096*4096像素；可從面分布圖上進行點、線譜圖重建。
★4.9配置自動剝離重疊峰的軟件。
4-2電子背散射衍射儀
4.10高速低噪音CMOS相機，采用專門定制的光纖傳導系統，分辨率≥1244*1024，并能夠與各主流型號的電鏡良好配合。
●4.11 EBSD在線解析最高標定速度≥600pps，此時花樣分辨率為311*256；
●4.12取向精度≤0.1度；
4.13采用主動式防碰撞傳感器設計，在碰撞發生前探測器自動預警并后撤，起到保護EBSD作用；
4.14探測器插入退出，最快速度≥15mm/s，精度≤10μm；
4.15軟件配置
4.15.1操作軟件采用多任務設計，可以同時并行數個任務，并支持分屏顯示及遠程控制；
★4.15.2操作軟件完全與能譜儀軟件一體化，可根據能譜數據對EBSD花樣進行預過濾，實現對未知相的相鑒定，實現能譜EBSD同時聯機分析且不降速；
4.15.3電子圖像分辨率≥8192*8192，EBSD面分布圖分辨率≥4096*4096；
●4.15.4動態自動背景扣除技術，探測器參數自動優化。切換樣品、更換分析位置、以及EBSD探測器伸縮、傾轉后均無需重新扣除動態背景或重新優化；
4.15.5能對所有對稱性（從三斜到立方）晶體材料的EBSP花樣進行自動化的標定，且各相的反射面可以獨立選擇，可利用衍射帶邊緣或中間進行識別?？勺R別菊池帶寬度以區分晶體結構相似的相。
4.15.6配置ICSD海量晶體學數據庫，數據容量不小于5萬種；
4.15.7采用最優化的Hough變換，多條帶標定方法（最多可以用12條菊池帶進行標定），根據平均角度偏差MAD等進行完全自動化的菊池帶識別和花樣標定；
4.15.8配有專用的高精度標定模式，實現更高角度分辨率的標定；配有64位EBSD數據后處理軟件包，和采集軟件同一風格，支持10種語言界面，可處理包含多至6400萬像素的單個文件，包含且不限于如下功能：（1）數據修飾（2）晶粒統計（尺寸、形態等）（3）晶界分析（4）應變分析（5）極圖和反極圖（6）校準EBSD分析時由于漂移導致的與電子圖像產生的失真；
●4.16配置TKD專用模式及TKD樣品臺1個。
★4.17配置EBSD數據離線處理軟件（加密狗）1個。
（五）其它配套要求
★5.1包含實驗室合規性改造安裝所需輔材、電源更改及人工等直至安裝調試完成所需的一切內容。包括3間面積58m2和2間面積34m2實驗室（總計5間實驗室，面積242 m2）墻體、地面、強電、弱電及通風改造，并配置總面積不小于40m2的標準實驗臺（800mm高）。
★5.2 XPS主機需要配置空調1臺（≥3匹）、除濕機1臺及滿足產品安裝要求的其它設施，采購方僅提供具有水源和電源的房間。
3.本項目的特定資格要求：投標人應具有有效的《輻射安全許可證》（若投標的“X射線光電子能譜儀主機”產品）具有《放射性同位素與射線裝置豁免備案表》，僅需提供《放射性同位素與射線裝置豁免備案表》）； 若所投產品（X射線光電子能譜儀主機）生產廠商為國內廠商且所投產品（X射線光電子能譜儀主機）無《放射性同位素與射線裝置豁免備案表》，則生產廠商還須提供有效的《輻射安全許可證》。
參加遼寧省政府采購活動的供應商未進入遼寧省政府采購供應商庫的，請詳閱遼寧政府采購網 “首頁—政策法規”中公布的“政府采購供應商入庫”的相關規定，及時辦理入庫登記手續。填寫單位名稱、統一社會信用代碼和聯系人等簡要信息，由系統自動開通賬號后，即可參與政府采購活動。具體規定詳見《關于進一步優化遼寧省政府采購供應商入庫程序的通知》（遼財采函〔2020〕198號）。
1.本項目采用全流程電子招投標，參與本項目的供應商須自行辦理好CA鎖，供應商除在電子評審系統上傳響應文件外，應在遞交響應文件截止時間前提交按采購文件規定的介質形式（U盤）存儲的可加密備份文件，并承諾備份文件與電子評審系統中上傳的響應文件內容、格式一致，備系統突發故障使用。供應商僅提交備份文件的，投標無效。詳見遼寧政府采購網《關于完善政府采購電子評審業務流程等有關事項的通知》 遼財采函{2021} 363號。 2.供應商自行準備電子設備確保能夠自行報價及解密。
當前位置：
遼寧沈陽
全部類型
2025年11月06日
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