后端設計

C****電子、通信與自動控制技術研究服務

一、委托后端物理設計團隊進行微波成像加速芯片后端物理設計服務。 二、主要技術指標： Process工藝類型：抗輻照SMIC12nm工藝； 總線主頻：Worst Corner（0.72V125℃）不小于800MHz; 實現全芯片后端網表和前端綜合網表在Func功能模式下形式化驗證通過； 提供芯片流片過程中與晶圓代工廠的溝通服務，直到晶圓上線。